存储巨头财报公布：西部数据减少NAND供应，三星加大高附加值产品布局

随着人工智能、大数据、云计算等新兴技术的快速发展，存储行业对高性能和大容量存储的需求不断增长。全球五大存储厂商——三星、SK海力士、美光、铠侠和西部数据纷纷加大技术创新和市场布局力度，以满足市场需求。近期，这些厂商发布了最新财报，披露了其在优化产品结构、拓展高附加值领域以及调整市场策略方面的最新进展。

三星电子：存储业务创历史新高，高附加值产品引领增长

三星电子全年收入达300.9万亿韩元（约2055.15亿美元），同比去年增长了16%，归母净利润则飙升至33.6万亿韩元（约229.49亿美元），同比激增130%。这一增长主要得益于其在存储业务领域的强劲表现。

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在2024年第四季度（10-12月），三星电子营收为75.8万亿韩元(约合522.5亿美元)，环比减少4%，同比增长12%；经营利润6.5万亿韩元(约合44.8亿美元)，环比减少29%，同比增长132%；净利润7.8万亿韩元(约合53.8亿美元)，环比减少23%，同比增长24%。

存储业务方面，第四季度营收达到23万亿韩元（约合158.5亿美元），环比增长3%，同比增长46%，创历史新高。这一增长主要得益于高带宽内存（HBM）和高密度DDR5服务器内存的销量增加，以及DRAM平均售价的上涨。然而，存储业务所在的DS部门第四季度经营利润为2.9万亿韩元（约合20亿美元），环比减少26%，但同比增长232%。经营利润下滑主要是由于增加的研发费用和尖端节点生产能力的初期爬坡成本。

总体而言，三星电子为提升整体利润水平，将更关注于未来高附加值产品的需求，扩大更先进节点的生产能力，在这种情况下，三星电子主要扩大了以HBM和高密度DDR5服务器为中心的销售。在减少传统工艺产品的生产下，令2025年DRAM和NAND的bit output受到严重限制。

分具体产品看，在第四季度，DRAM bit出货量环比下降约13-15%，DRAM平均售价环比增长约20%。对于NAND闪存，由于移动和PC应用需求疲软，叠加高价服务器SSD需求延迟，这导致NAND平均售价四季度环比下降中个位数百分比，NAND bit出货量环比下降低个位数百分比。总体而言，高附加值产品在总销售额中的占比增加，HBM销售额增长1.9倍（略低于初步预测），128GB或更高容量DDR5模组销售额增长2.5倍。

从整体资本支出来看，2024年全年资本支出为53.6万亿韩元，芯片资本支出达46.3万亿韩元，为存储技术研发、产能提升以及存储设计更新提供了有力保障。这也使得三星在传统存储产品稳固优势的同时，能够在新兴存储技术领域不断探索，维持在全球存储市场的领先地位。

美光科技：AI驱动数据中心业务爆发，资本支出聚焦先进节点

美光科技在2025财年第一季度（截至2024年11月28日）取得了强劲的财务表现，实现营收87.1亿美元，较上一季度增长12.4%，较去年同期增长84.2%。Non-GAAP下，营业利润达到23.94亿美元，营业利润率从上季度的22.5%提升至27.5%；净利润为20.4亿美元，较上季度增长52%，并实现了同比扭亏为盈。

该季度，美光的数据中心业务收入同比增长超过400%，环比增长40%，首次超过总收入的50%，推动整体业绩增长。

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在业务细分方面，DRAM业务收入为64亿美元，占总收入的73%，环比增长20%；NAND业务收入为22.41亿美元，占总收入的26%，环比减少5%。各事业部中，Compute and Networking（CNBU）营收44亿美元，环比增长46%，创下新季度纪录；Mobile（MBU）营收15亿美元，环比下降19%；Storage（SBU）营收17亿美元，环比增长3%；Embedded（EBU）营收11亿美元，环比下降10%。

展望未来，美光预计2025财年第二财季营收将达到79±2亿美元，毛利率预计为38.5%±1.0%。公司计划在2025财年投入约135-145亿美元的资本支出，主要用于支持HBM和长期DRAM需求。美光将继续优先投资1β和1γ技术节点，以及DRAM晶圆厂建设，并在新加坡扩大制造计划，包括新的HBM先进封装设施，以满足人工智能驱动的需求。

另外值得注意的是，美光已经削减了NAND资本支出，并且正在谨慎管理NAND技术节点的升级节奏，以控制其供应。另外，美光预计2025财年DRAM前端成本降低（不包括HBM）将在中至高个位数百分比范围内，NAND前端成本降低将在15%以下。

SK海力士：HBM与eSSD推动业绩增长，传统内存市场面临调整

2024年，SK海力士取得历史性突破，全年营收达66.19万亿韩元（约48.81亿美元），同比增长102%；营业利润为23.46万亿韩元（约17.30亿美元），净利润为19.8万亿韩元（约14.59亿美元），均创下历史新高。

第四季度，SK海力士营收为19.77万亿韩元（约14.57亿美元），同比增长74.8%，环比增长12%；营业利润为8.08万亿韩元（约5.96亿美元），同比增长2235.8%，营业利润率达41%；净利润为8万亿韩元（约5.83亿美元），同比增长约24%，净利润率同样达到41%。

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在其主要营收细分中，HBM销售额已占DRAM总销售额的40%以上，成为推动公司业绩增长的主要动力。SK海力士预计2025年HBM销售额将翻倍；此外在企业级固态硬盘方面，2024年eSSD销售额较去年增长超过300%，特别是在基于QLC的大容量SSD产品开发方面取得了显著进展。

尽管HBM和eSSD等高附加值产品表现强劲，但传统内存市场如PC和智能手机领域的需求却在下滑。SK海力士预计2025年将减少DDR4和LPDDR4等传统芯片的产量，以专注于高价值产品。

2024年SK海力士的资本支出主要用于支持HBM和高密度服务器DRAM的生产。公司计划在2025年继续增加HBM3E的供应量，并适时开发出HBM4。另外，其清州M15X晶圆厂计划于2025年第四季度投产，龙仁首座晶圆厂将于2025年开建，并计划于2027年第二季度投产。

西部数据：计划在2025财年逐步减少NAND市场供应

西部数据在2025财年第二财季（2024年10-12月）季度营收达到42.85亿美元，环比增长5%，同比增长41%。净利润为6.47亿美元，环比微幅减少0.15%，但同比实现了扭亏为盈。

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细分产品来看，其HDD营收为24.09亿美元，环比增长9%，同比增长76%。HDD产品毛利率由上季度38.1%进一步提升至38.6%，出货量环比增长7%，平均单价环比由上季度的164美元上升至172美元。

其闪存产品营收为18.76亿美元，环比下滑0.42%，但同比增长12.7%。Flash产品毛利率下降至32.5%，上季度为38.9%。按同类产品比较，闪存平均售价下降了13%，按混合基础算则下降了10%。NAND Bit出货量环比增长9%，同比下降2%。

消费者业务营收为8亿美元，占总收入的18%，环比增长14%，同比下降8%。环比增长主要得益于闪存和HDD位出货量的增加，而同比下降则是由于闪存和HDD出货量下降以及闪存定价的影响。

西部数据表示，在该财季已顺利完成分拆所需的必要关键融资活动，目前处于闪存业务和HDD业务分拆的最后阶段，将按计划于第三财季（2025年1-3月）末结束。分拆完成后，西部数据的闪存部门将重新成为独立的闪迪（Sandisk）企业，David Goeckeler将转任闪迪首席执行官；机械硬盘部门则将继续以西部数据（Western Digital）的名称存在，公司CEO将由现任全球运营执行副总裁Irving Tan出任。

西部数据预计2025年NAND市场将持续面临需求疲弱、供给过剩的双重压力。因此，公司计划将产量减少约15%，以稳定市场价格和提升产品竞争力。该公司预计第二财季（10-12月）受益于eSSD产品的增长和消费者季节性需求驱动，整体Flash Bit出货量增长至中等个位数百分比。

铠侠：拓展数据中心与企业级SSD市场

铠侠在2024财年表现出色，第一季度实现营收4285亿日元（约28.42亿美元），同比增长70.65%，环比增长33.03%。第二季度营收进一步增长至4809亿日元（约31.90亿美元），环比增长12.22%，几乎是前一财年同期的两倍。营业利润和净利润也显著提升，第二季度营业利润为1660亿日元（约11.01亿美元），环比增长31.9%；净利润为1062亿日元（约7.05亿美元），环比增长52%。

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细分来看，铠侠第二季度NAND闪存位元出货量环比增长约10%，平均售价环比增长约5%。铠侠表示，得益于客户库存正常化和需求复苏，NAND闪存的供需失衡已得到纠正。

铠侠预估2024财年销售额可达1.6万亿日元，创下历史新高。公司将继续优化生产和运营成本，以应对市场变化，确保盈利与公司竞争力。
目前，铠侠已经开始大规模量产采用QLC技术的UFS4.0嵌入式产品，并推出了符合PCIe®5.0标准的NVMe EDSFF E1.S SSD。此外，铠侠还展示了其在数据中心和企业级SSD领域的实力。

存储市场新兴应用驱动创新与产业升级

当代AI、大数据、云计算等新兴应用领域对存储性能和容量提出了更高要求，成为存储市场增长的重要驱动力。HBM、高性能SSD等产品需求激增，推动了存储技术的创新和产业升级。然而，智能手机、笔电等消费电子终端市场复苏迟缓，持续影响着存储市场的整体需求。

未来，随着5G技术在消费电子领域的进一步普及以及新兴技术应用场景的不断拓展，存储市场有望迎来新的发展机遇，但传统市场的复苏仍需时间和新的市场刺激因素。近期多家厂商也公布了最新的技术进展，以适配市场与日俱增的需求。

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铠侠宣布开源AiSAQ技术，可降低生成式AI系统中的DRAM需求

铠侠宣布开源其全新全存储ANNS产品量化（AiSAQ）技术，这是一种针对SSD优化的新型“近似最近邻”搜索（ANNS）算法。该技术为检索增强生成（RAG）提供了可扩展的性能，无需将索引数据放置在DRAM中，而是直接在SSD上进行搜索。这不仅减少了对昂贵DRAM的依赖，还满足了高性能需求，显著提升了大规模RAG应用的性能范围。

铠侠的AiSAQ技术为十亿级数据集提供了可扩展且高效的ANNS解决方案，具有极低的内存使用量和快速的索引切换功能。其主要优势包括允许大型数据库在不依赖有限DRAM资源的情况下运行，从而增强RAG系统的性能；无需将索引数据加载到DRAM中，矢量数据库可即时启动，支持在同一台服务器上无缝切换用户专用或应用专用数据库，实现高效的RAG服务交付。

此外，该技术通过将索引存储在分布式存储中以实现多服务器共享，针对云系统进行了优化，可针对特定用户或应用程序动态调整矢量数据库搜索性能，并促进搜索实例在物理服务器之间的快速迁移。

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三星存储设计更新

三星电子正在对其12纳米级动态随机存取存储器（DRAM）“D1b”进行重要设计改进。这一改进在半导体产业中引起了广泛关注，特别是考虑到“D1b”自2023年首次量产以来，已经在显卡和手机等多个领域广泛应用。三星电子已经在根据新的“D1b”设计修改生产工艺，并在2024年底下达了紧急设备订单，升级了现有生产线，并进行了技术转移。新款“D1b”预计最快将在2025年第二季度或第三季度发布。

此外，三星电子的第五代高带宽存储芯片（HBM3E）即将成为英伟达的重要技术支援，行业消息称，三星电子的这款8层HBM3E存储芯片已在2024年12月获得英伟达的批准，目前三星对此消息还未回应。

据悉，HBM3E存储芯片采用了先进的堆叠技术，能够在更小的体积内提供更大的内存容量和更高的传输速度，非常适合用于训练复杂的深度学习模型。三星计划在2025年第二季度量产HBM3E 12H产品。HBM3E 12H相比前代产品有了显著的提升，据三星官方介绍，该芯片在大数据处理上将带来34%的效率提升，同时客户规模也能因性能增强提升超过11.5倍。

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西部数据开发高性能存储产品

西部数据正在开发针对人工智能训练和推理需求的高性能PCIe 5.0数据中心企业级SSD。其中，Ultrastar DC SN861 SSD是西部数据首款企业级PCIe Gen 5.0解决方案，具备优异的随机读取性能和能耗效率，容量高达16TB。该产品随机读取性能相比上一代产品提升约3倍，超低的延迟和快速响应速度使其特别适用于大语言模型（LLM）的训练、推理和人工智能服务部署。

此外，西部数据的30TB和60TB高容量产品正在超大规模厂商认证中，并取得了重大进展。这些产品的开发和认证进展表明，西部数据正在积极满足数据中心和企业级市场对高性能、高容量存储解决方案的需求。

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