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ALD1101BPAL

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ALD1101BPAL

Manufacturer
Description
MOSFET Dual N-Channel Pair MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8DIP
Category
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商业参数

产品类别MOSFET标准包装数量50
工厂包装数量50

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

FET类型2 N-Channel (Dual) Matched PairFET特性Standard
最大功率500mW额定功率500 mW
晶体管类型N-ChannelVgs(th)(最大)@ Id1V @ 10µA
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs75 Ohm @ 5V集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic- 12 V
电流传输比(最小)0.01 S漏源电压(Vdss)10.6V
栅极触发电压 Vgt (最大)13.2 V漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)40 mA
连续漏极电流(Id)@ 25°C25mA

机械参数

包装方式Tube安装类型Through Hole
安装样式Through Hole封装形式8-DIP (0.300", 7.62mm)
供应商器件封装8-PDIP

产品信息

系列ALD1101B配置Dual

环境参数

工作温度0 C

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