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ALD1105PBL
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET Dual P&N-Ch. Pair COMPLEMENTARY MOSFET 2N-CH/2P-CH |
| Category |
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商业参数
| 产品 | MOSFET Small Signal | 其他名称 | 1014-1010 |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | 25 |
| 工厂包装数量 | 25 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | 2 N and 2 P-Channel Matched Pair | 最大栅源电压 Vgs | 10.6 V |
| FET特性 | Standard | 最大功率 | 500mW |
| 额定功率 | 500 mW | 晶体管类型 | N and P-Channel |
| 通道数量 | 4 Channel | Vgs(th)（最大）@ Id | 1V @ 1µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 5V | 平均正向功率 | 500 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | + 12 V, - 12 V | 导通电阻（最大） | 350 Ohms, 1.2 kOhms |
| 电流传输比（最小） | 0.0018 S, 0.00067 S | 漏源电压（Vdss） | 10.6V |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | 13.2 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 4.8 mA, - 2 mA |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 3pF @ 5V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 3mA, 1.3mA |
机械参数
| 包装方式 | Tube | 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole | 封装形式 | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 供应商器件封装 | 14-PDIP | ||
产品信息
| 系列 | ALD1105P | 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | Advanced Linear Devices |
| 配置 | Dual | ||
环境参数
| 工作温度 | 0 C | ||
Documents & Media
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