点击放大查看
ALD110902SAL
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC |
| Category |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 其他名称 | 1014-1035 | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 50 | 工厂包装数量 | 50 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair | FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 500mW | 额定功率 | 500 mW |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 10 ns |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 220mV @ 1µA | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 4.2V |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 10 V | 电流传输比（最小） | 0.0014 S |
| 漏源电压（Vdss） | 10.6V | 栅极触发电压 Vgt (最大) | 10.6 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 12 mA | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2.5pF @ 5V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 12mA, 3mA | ||
机械参数
| 包装方式 | Tube | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC | ||
产品信息
| 系列 | ALD110902S | 配置 | Dual |
环境参数
| 工作温度 | 0 C | ||
Documents & Media
PDF Document
PDF Document