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AGR09030EF

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AGR09030EF

Manufacturer
Description
Transistors RF MOSFET RF Transistor RF MOSFET Transistors RF Transistor
Category
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合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

频率895 MHz最大栅源电压 Vgs15 V
额定功率80 W晶体管类型N-Channel
平均正向功率80 W集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic65 V
栅极触发电压 Vgt (最大)15 V漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)4.25 A
连续漏极电流(Id)@ 25°C4.25 A

机械参数

包装方式Tray

产品信息

类型MOSFET Power技术Si
制造商全称Advanced Semiconductor, Inc.产品子类型RF Power Transistor
配置Single

环境参数

工作温度+ 200 C