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MRF5812LF
| Manufacturer | |
| Description | Transistors RF Bipolar RF Transistor RF Bipolar Transistors RF Transistor |
| Category |
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商业参数
| 工厂包装数量 | 1 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 频率 | 1 GHz | 额定功率 | 1.25 W |
| 最大频率 | 1 GHz | 晶体管类型 | NPN |
| 供电电压 | 15 V | 平均正向功率 | 1.25 W |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 2.5 V | 集电极截止电流（最大） | 200 mA |
| 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 50 | ||
机械参数
| 包装方式 | Tray | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | SOIC-8 | ||
产品信息
| 类型 | RF Bipolar Small Signal | 技术 | Si |
| 制造商全称 | Advanced Semiconductor, Inc. | ||
环境参数
| 工作温度 | - 65 C | ||