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TPV8100B
| Manufacturer | |
| Description | Transistors RF Bipolar RF Transistor RF Bipolar Transistors RF Transistor |
| Category |
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合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 频率 | 860 MHz | 额定功率 | 215 W |
| 最大频率 | 860 MHz | 晶体管类型 | NPN |
| 供电电压 | 30 V | 平均正向功率 | 215 W |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 4 V | 集电极截止电流（最大） | 12 A |
| 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 30 | ||
机械参数
| 包装方式 | Tray | 安装样式 | Screw |
| 封装形式 | Case 398-03 | ||
产品信息
| 类型 | RF Bipolar Power | 技术 | Si |
| 制造商全称 | Advanced Semiconductor, Inc. | ||
环境参数
| 工作温度 | - 65 C | ||