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AON5802B
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN 30V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET |
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商业参数
| 标准包装数量 | 5,000 | ||
电气参数
| FET类型 | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 最大栅源电压 Vgs | 1.5V @ 250µA |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 1.6W |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1.5V @ 250µA | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 7A, 4.5V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 24nC @ 10V | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1150pF @ 15V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 7.2A |
机械参数
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad | 供应商器件封装 | 6-DFN-EP (2x5) |
Documents & Media
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