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AO4822A

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AO4822A

Manufacturer
Description
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOIC MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SOIC
Category
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商业参数

其他名称785-1060-2标准包装数量3,000
标准封装名称SOIC

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSCompliant
抗辐射加固No

电气参数

FET类型2 N-Channel (Dual)最大栅源电压 Vgs�20 V
FET特性Logic Level Gate最大功率1.1W
噪声系数Not Required dB额定功率2 W
额定输出功率Not Required dB最大频率Not Required MHz
元件数量2Vgs(th)(最大)@ Id3V @ 250µA
击穿电压30导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs16 mOhm @ 8.5A, 10V
最大功耗2000集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic30 V
漏电流(最大)8 A导通电阻(最大)0.016 ohm
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs24nC @ 10VVce饱和电压(最大)@ Ib, IcNot Required %
漏源电压(Vdss)30V峰值脉冲电流(10/1000µs)8
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)8 A输入电容(Ciss)(最大)@ Vds1250pF @ 15V
连续漏极电流(Id)@ 25°C6.8A

机械参数

宽度3.9包装方式Tape & Reel (TR)
引脚样式Gull-wing安装类型Surface Mount
封装形式8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)冷却的封装SOIC
总长度4.9包装数量SOIC
位数8外壳尺寸-插件1.5
供应商器件封装8-SOIC

产品信息

类型Power MOSFET极性N
通道类型Enhancement印刷电路板数量8

环境参数

工作温度-55C to 150C

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