ONEIC.US
AOWF20S60

点击放大查看

AOWF20S60

Manufacturer
Description
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-262F MOSFET N-CH 600V 20A TO262F MOSFETS N Channel 600V 20*A TO-262F
Category
对参数有疑问?问 AI 助手

商业参数

标准包装数量50

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSCompliant
抗辐射加固No

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide最大栅源电压 Vgs�30 V
FET特性Standard最大功率28W
额定功率28 W元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id4.1V @ 250µA击穿电压600
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs199 mOhm @ 10A, 10V最大功耗28000
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic600 V导通电阻(最大)199@10V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs19.8nC @ 10V漏源电压(Vdss)600V
峰值脉冲电流(10/1000µs)20漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)20 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds1038pF @ 100V连续漏极电流(Id)@ 25°C20A (Tc)

机械参数

宽度4.76包装方式Tube
插片宽度Tab引脚样式Through Hole
安装类型Through Hole封装形式TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
总长度10.15包装数量TO-262F
位数3外壳尺寸-插件10.65
供应商器件封装*

产品信息

类型Power MOSFET极性N
通道类型Enhancement印刷电路板数量3

环境参数

工作温度-55C to 150C

Documents & Media

PDF Document