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NE3509M04-T2-A
| Manufacturer | |
| Description | Transistors RF GaAs L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 Transistors RF JFET L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET RF JFET Transistors L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET |
| Category |
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商业参数
| 产品 | RF JFET | 其他名称 | NE3509M04-T2-ACT |
| 产品类别 | Transistors RF JFET | 标准包装数量 | 3,000 |
| 工厂包装数量 | 3000 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| 增益 | 17.5dB | 1dB压缩点 | 11 dBm |
| 频率 | 2GHz | 噪声系数 | 0.4dB |
| 额定功率 | 150 mW | 额定输出功率 | 11dBm |
| 测试电压 | 2V | 额定电压 | 4V |
| 晶体管类型 | HFET | 输出电流 | 10mA |
| Vgs(th)（最大）@ Id | - 3 V | 最大额定电流 | 60mA |
| 平均正向功率 | 150 mW | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 4 V |
| 电流传输比（最小） | 80 mS | 漏源电压（Vdss） | 4 V |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | - 3 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 60 mA |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 60 mA | ||
机械参数
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | SOT-343F | 供应商器件封装 | M04 |
产品信息
| 类型 | GaAs HEMT | 技术 | GaAs |
| 制造商全称 | CEL | ||
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||