点击放大查看
NE3510M04-T2-A
| Manufacturer | |
| Description | Transistors RF GaAs L-S Band Lo No Amp FET RF HFET 4GHZ 2V 15MA M04 Transistors RF JFET L-S Band Lo No Amp RF JFET Transistors L-S Band Lo No Amp |
| Category |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 产品 | RF JFET | 其他名称 | NE3510M04-T2-ACT |
| 产品类别 | Transistors RF JFET | 标准包装数量 | 3,000 |
| 工厂包装数量 | 3000 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| 增益 | 16dB | 1dB压缩点 | 11 dBm |
| 频率 | 4GHz | 噪声系数 | 0.45dB |
| 额定功率 | 125 mW | 测试电压 | 2V |
| 额定电压 | 4V | 晶体管类型 | HFET |
| 输出电流 | 15mA | Vgs(th)（最大）@ Id | - 3 V |
| 最大额定电流 | 97mA | 平均正向功率 | 125 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 4 V | 电流传输比（最小） | 70 mS |
| 漏源电压（Vdss） | 4 V | 栅极触发电压 Vgt (最大) | - 3 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 97 mA | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 97 mA |
机械参数
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | SOT-343F | 供应商器件封装 | M04 |
产品信息
| 类型 | GaAs HEMT | 技术 | GaAs |
| 制造商全称 | CEL | ||
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||