NE3512S02-T1C-A
| Manufacturer | |
| Description | Transistors RF GaAs SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET HJ-FET NCH 13.5DB S02 Transistors RF JFET SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET |
| Category |
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商业参数
| 产品 | RF JFET | 其他名称 | NE3512S02-T1C-ACT |
| 产品类别 | Transistors RF JFET | 标准包装数量 | 2,000 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| 增益 | 13.5dB | 频率 | 12GHz |
| 噪声系数 | 0.35dB | 额定功率 | 165 mW |
| 测试电压 | 2V | 额定电压 | 4V |
| 晶体管类型 | HFET | 输出电流 | 10mA |
| 最大额定电流 | 70mA | 电流传输比（最小） | 55 mS |
| 漏源电压（Vdss） | 4 V | 栅极触发电压 Vgt (最大) | - 3 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 70 mA | ||
机械参数
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | 4-SMD, Flat Leads | 供应商器件封装 | S02 |
产品信息
| 类型 | GaAs HEMT | ||
环境参数
| 工作温度 | + 125 C | ||
Documents & Media
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