NE3512S02-T1D-A
| Manufacturer | |
| Description | Transistors RF GaAs SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET Transistors RF JFET SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET |
| Category |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 产品 | RF JFET | 产品类别 | Transistors RF JFET |
| 工厂包装数量 | 10000 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 增益 | 13.5 dB | 频率 | 12 GHz |
| 噪声系数 | 0.35 dB | 额定功率 | 165 mW |
| 电流传输比（最小） | 55 mS | 漏源电压（Vdss） | 4 V |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | - 3 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 70 mA |
机械参数
| 包装方式 | Reel | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | S0-2 | ||
产品信息
| 类型 | GaAs HEMT | ||
环境参数
| 工作温度 | + 125 C | ||
Documents & Media
PDF Document