NE3515S02-T1D-A
| Manufacturer | |
| Description | Transistors RF GaAs Super Low Noise Pseudomorphic Transistors RF JFET Super Low Noise Pseudomorphic |
| Category |
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商业参数
| 产品 | RF JFET | 产品类别 | Transistors RF JFET |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 增益 | 12.5 dB | 1dB压缩点 | 14 dBm |
| 频率 | 12 GHz | 噪声系数 | 0.3 dB |
| 额定功率 | 165 mW | 电流传输比（最小） | 70 mS |
| 漏源电压（Vdss） | 4 V | 栅极触发电压 Vgt (最大) | - 3 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 88 mA | ||
机械参数
| 包装方式 | Reel | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | S0-2 | ||
产品信息
| 类型 | GaAs HEMT | ||
环境参数
| 工作温度 | + 125 C | ||
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