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NE461M02-AZ

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NE461M02-AZ

Manufacturer
Description
Transistors RF MOSFET Power NPN Low Distort Amp TRANS NPN 1GHZ SOT-89 M02 Transistors RF Bipolar NPN Low Distort Amp RF Bipolar Transistors NPN Low Distort Amp
Category
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商业参数

产品类别Transistors RF Bipolar标准包装数量1
工厂包装数量1

合规参数

RoHSRoHS Compliant By Exemption

电气参数

频率3 GHz最大功率2W
额定功率2 W最大频率3 GHz
晶体管类型NPN供电电压15V
平均正向功率2 W噪声系数(dB典型值 @ f)1.5dB ~ 3.5dB @ 500MHz ~ 1GHz
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic3 V集电极电流(Ic)(最大)250mA
集电极截止电流(最大)250 mA直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce40 @ 50mA, 10V

机械参数

高度1.5 mm长度4.5 mm
包装方式Bulk安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT封装形式TO-243AA
供应商器件封装SOT-89

产品信息

类型Silicon Epitaxial Bipolar Transistor技术Si
制造商全称CEL配置Single

环境参数

工作温度+ 25 C

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