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NE5511279A-T1-A

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NE5511279A-T1-A

Manufacturer
Description
Transistors RF MOSFET Power UHF Band RF Power MOSFET LD N-CHAN 7.5V 79A Transistors RF MOSFET UHF Band RF Power
Category
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商业参数

其他名称NE5511279A-T1-ACT产品类别Transistors RF MOSFET
标准包装数量1工厂包装数量1000

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

增益15dB频率900MHz
输出功率40 dBm额定功率20 W
额定输出功率40dBm测试电压7.5V
额定电压20V晶体管类型LDMOS
输出电流400mA最大额定电流3A
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic20 V电流传输比(最小)0.0023 S
栅极触发电压 Vgt (最大)6 V漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)3 A

机械参数

包装方式Cut Tape (CT)安装样式SMD/SMT
封装形式4-SMD, Flat Leads供应商器件封装79A

产品信息

配置Single

环境参数

工作温度+ 125 C

Documents & Media

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