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NE662M04-T2-A
| Manufacturer | |
| Description | Transistors RF Bipolar Small Signal NPN High Frequency TRANSISTOR NPN 2GHZ M04 Transistors RF Bipolar NPN High Frequency RF Bipolar Transistors NPN High Frequency |
| Category |
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商业参数
| 其他名称 | NE662M04-T2-ACT | 产品类别 | Transistors RF Bipolar |
| 标准包装数量 | 3,000 | 工厂包装数量 | 3000 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| 增益 | 20dB | 频率 | 2 GHz |
| 最大功率 | 115mW | 额定功率 | 115 W |
| 最大频率 | 2 GHz | 晶体管类型 | NPN |
| 供电电压 | 3.3V | 过渡频率 | 25GHz |
| 增益带宽积 | 25 GHz | 平均正向功率 | 115 W |
| 噪声系数（dB典型值 @ f） | 1.1dB ~ 1.5dB @ 2GHz | Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 1.5 V |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 35mA | 集电极截止电流（最大） | 35 mA |
| 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 50 @ 5mA, 2V | ||
机械参数
| 宽度 | 1.25 mm | 高度 | 0.59 mm |
| 长度 | 2 mm | 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | SOT-343F | 供应商器件封装 | M04 |
产品信息
| 类型 | RF Bipolar Small Signal | 技术 | Si |
| 制造商全称 | CEL | 配置 | Single Dual Emitter |
环境参数
| 工作温度 | - 65 C | ||