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NE85633-T1B-R25-A

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NE85633-T1B-R25-A

Manufacturer
Description
Transistors RF Bipolar Small Signal NPN High Frequency TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23 Transistors RF Bipolar NPN High Frequency RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
Category
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商业参数

其他名称NE85633-T1B-R25-ACT产品类别Transistors RF Bipolar
标准包装数量3,000工厂包装数量3000

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

增益9dB频率1 GHz
最大功率200mW额定功率0.2 W
最大频率1 GHz晶体管类型NPN
供电电压12V过渡频率7GHz
增益带宽积7 GHz平均正向功率0.2 W
噪声系数(dB典型值 @ f)1.4dB ~ 2dB @ 1GHzVce饱和电压(最大)@ Ib, Ic3 V
集电极电流(Ic)(最大)100mA集电极截止电流(最大)0.1 A
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 10V

机械参数

包装方式Tape & Reel (TR)安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT封装形式TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23

产品信息

类型RF Bipolar Small Signal技术Si
制造商全称CEL配置Single

环境参数

工作温度- 65 C

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