ONEIC.US
NE85633L-A

点击放大查看

NE85633L-A

Manufacturer
Description
Transistors RF Bipolar Small Signal NPN High Frequency TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23 Transistors RF Bipolar NPN High Frequency RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
Category
对参数有疑问?问 AI 助手

商业参数

产品类别Transistors RF Bipolar标准包装数量1
工厂包装数量1

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

增益9dB最大功率200mW
额定功率0.2 W晶体管类型NPN
供电电压12V过渡频率7GHz
平均正向功率0.2 W噪声系数(dB典型值 @ f)1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic3 V集电极电流(Ic)(最大)100mA
集电极截止电流(最大)0.1 A直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 10V

机械参数

包装方式Bulk安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT封装形式TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23

产品信息

类型RF Bipolar Small Signal技术Si
制造商全称CEL配置Single

Documents & Media

PDF Document
PDF Document