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NE856M02-AZ

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NE856M02-AZ

Manufacturer
Description
Transistors RF Bipolar Small Signal NPN Low Distort Amp TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-89 Transistors RF Bipolar NPN Low Distort Amp
Category
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商业参数

产品类别Transistors RF Bipolar标准包装数量1

合规参数

RoHSRoHS Compliant By Exemption

电气参数

最大功率1.2W额定功率1.2 W
晶体管类型NPN供电电压12V
过渡频率6.5GHz噪声系数(dB典型值 @ f)1.1dB ~ 3dB @ 1GHz
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic3 V集电极电流(Ic)(最大)100mA
集电极截止电流(最大)0.1 A直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 10V

机械参数

包装方式Bulk安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT封装形式TO-243AA
供应商器件封装SOT-89

产品信息

类型RF Bipolar Small Signal配置Single

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