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NESG2021M16-A
| Manufacturer | |
| Description | Transistors RF Silicon Germanium NPN High Frequency Transistors RF Bipolar NPN High Frequency RF Bipolar Transistors NPN High Frequency |
| Category |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 产品类别 | Transistors RF Bipolar | 工厂包装数量 | 1 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 额定功率 | 175 mW | 晶体管类型 | Bipolar |
| 平均正向功率 | 175 mW | Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 1.5 V |
| 集电极截止电流（最大） | 35 mA | ||
机械参数
| 包装方式 | Reel | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | SOT-343 | ||
产品信息
| 类型 | RF Silicon Germanium | 技术 | SiGe |
| 制造商全称 | CEL | ||
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||
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