点击放大查看
NESG2101M05-A
| Manufacturer | |
| Description | Transistors RF Silicon Germanium NPN SiGe High Freq TRANS NPN 2GHZ M05 Transistors RF Bipolar NPN SiGe High Freq RF Bipolar Transistors NPN SiGe High Freq |
| Category |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 其他名称 | NESG2101M05A | 产品类别 | Transistors RF Bipolar |
| 标准包装数量 | 1 | 工厂包装数量 | 1 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 增益 | 11dB ~ 19dB | 最大功率 | 500mW |
| 额定功率 | 175 mW | 晶体管类型 | NPN |
| 供电电压 | 5V | 过渡频率 | 17GHz |
| 平均正向功率 | 175 mW | 噪声系数（dB典型值 @ f） | 0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 1.5 V | 集电极电流（Ic）（最大） | 100mA |
| 集电极截止电流（最大） | 35 mA | 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 130 @ 15mA, 2V |
机械参数
| 包装方式 | Bulk | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | SOT-343F |
| 供应商器件封装 | M05 | ||
产品信息
| 类型 | RF Silicon Germanium | 技术 | SiGe |
| 制造商全称 | CEL | ||
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||