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NESG2101M16-T3-A
| Manufacturer | |
| Description | Transistors RF Silicon Germanium NPN High Frequency Transistors RF Bipolar NPN High Frequency RF Bipolar Transistors NPN High Frequency |
| Category |
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商业参数
| 产品类别 | Transistors RF Bipolar | 工厂包装数量 | 10000 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 频率 | 2 GHz | 额定功率 | 190 mW |
| 最大频率 | 2 GHz | 晶体管类型 | NPN |
| 供电电压 | 5 V | 平均正向功率 | 190 mW |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 1.5 V | 集电极截止电流（最大） | 100 mA |
| 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 130 | ||
机械参数
| 包装方式 | Reel | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | M16 | ||
产品信息
| 类型 | RF Silicon Germanium | 技术 | SiGe |
| 制造商全称 | CEL | 配置 | Single |
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