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合规参数
| 零件状态 | Obsolete | ||
电气参数
| FET类型 | N-Channel | 最大功率 | 350 mW |
| 导通电阻 RDS(On) | 60 Ohms | 漏电流（最大） | 50 mA |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V | 击穿电压（V(BR)GSS） | 40 V |
| 截止电压（VGS off）@ Id | 2 V @ 1 nA | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 25 mA @ 20 V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 20pF @ 20V | ||
机械参数
| 包装方式 | Tray | 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | Die | 供应商器件封装 | Die |
产品信息
| 系列 | - | 制造商全称 | Central Semiconductor Corp |
环境参数
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) | ||
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