点击放大查看
CMRDM3575 TR
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET N AND P CHANNEL MOSFET MOSFET 20V N-Ch P-Ch FET 8.0Vgs 125mW |
| Category |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 商标名 | ATTOmini | 工厂包装数量 | 8000 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 最大栅源电压 Vgs | 8 V, 8 V | 栅极电荷 | 0.458 nC, 0.5 nC |
| 额定功率 | 125 mW | 晶体管类型 | N and P-Channel |
| 首抽头延迟 | 85 ns, 100 ns | 通道数量 | 2 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 400 mV, 1 V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 7 Ohms, 20 Ohms |
| 平均正向功率 | 125 mW | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 20 V |
| 导通电阻（最大） | 1.5 Ohms, 4 Ohms | 电流传输比（最小） | 1.3 S, 0.14 S |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | 8 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 200 mA, 180 mA |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 160 mA, 140 mA | ||
机械参数
| 包装方式 | Reel | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | SOT-963 | ||
产品信息
| 系列 | CMRDM | 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | Central Semiconductor |
| 配置 | Dual | ||
环境参数
| 工作温度 | - 65 C | ||