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CTLDM303N-M832DS TR
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET SMD Sm Signal Mosfet Dual N-Ch Enhanced MOSFET N-CH 12V 3.6A DL TLM832DS MOSFET 30Vds Dual N-Ch FET 12Vgs 3.6A 1.65W |
| Category |
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商业参数
| 其他名称 | CTLDM303N-M832DS TR LEAD FREE | 标准包装数量 | 3,000 |
| 工厂包装数量 | 3000 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | 2 N-Channel (Dual) | 最大栅源电压 Vgs | 12 V |
| FET特性 | Standard | 栅极电荷 | 13 nC |
| 最大功率 | 1.65W | 额定功率 | 1.65 W |
| 晶体管类型 | N-Channel | 通道数量 | 2 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1.2V @ 250µA | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 40 mOhms |
| 平均正向功率 | 1.65 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 导通电阻（最大） | 40 mOhms | 电流传输比（最小） | 11.8 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 13nC @ 4.5V | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | 12 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 3.6 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 590pF @ 10V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 3.6A |
机械参数
| 包装方式 | Reel | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | TLM832DS |
| 供应商器件封装 | 8-TLM | ||
产品信息
| 系列 | CTLDM303N-M832DS | 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | Central Semiconductor |
| 配置 | Dual | ||
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | ||