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MMBT5401-G

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MMBT5401-G

Manufacturer
Description
TRANSISTOR PNP 150V 0.6A SOT-23 Transistors RF Bipolar VCEO=-150V IC=-600mA RF Bipolar Transistors VCEO=-150V IC=-600mA
Category
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商业参数

标准包装数量3,000工厂包装数量3000

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

最大功率300mW额定功率350 mW
晶体管类型NPN供电电压150V
过渡频率100MHz平均正向功率350 mW
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic500mV @ 5mA, 50mA集电极电流(Ic)(最大)600mA
集电极截止电流(最大)- 600 mA直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 5V

机械参数

包装方式Tape & Reel (TR)安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT封装形式TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23

产品信息

类型RF Bipolar Power系列MMBT5401
技术Si制造商全称Comchip Technology
配置Single

环境参数

工作温度- 55 C

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