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2N7002K-7
| Manufacturer | |
| Description | Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R N-CH MOS-FET+ESD 0,3A 60V SOT23 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 MOSFET N-Channel MOSFET, N CH, 60V, 0.3A, SOT-23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| Category |
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商业参数
| 最小起订量 | 3000 | 单位包装 | 3000 |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 3000 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| 海关税号 | 85412100 | 汽车级 | AEC-Q(101) |
| 无铅定义 | RoHS-conform | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 9.9 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 栅极电荷 | 0.3 nC | 最大功率 | 370mW |
| 额定功率 | 540 mW | 下降时间（典型） | 9.9 ns |
| 上升时间（典型） | 3.4 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 15.7 ns | Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 击穿电压 | 60 V | 阈值电压 | :1.6V |
| 最大额定电流 | :800mA | 导通电阻 RDS(On) | :2ohm |
| 触点电压（最大） | :60V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 2000@10V mOhm |
| 最大功耗 | :350mW | 传播延迟（最大） | 3.4 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 60 V | 每端口功率（瓦） | 0.35W |
| 供电电压 (Vcc/Vdd) | 60V | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 0.3nC @ 4.5V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 3.9 ns | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.38 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 0.3A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 50pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 380mA | ||
机械参数
| 重量 | 0.000008 | 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 端接方式 | :SMD | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3SOT-23 | 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 | ||
产品信息
| 极性 | N-CHANNEL | 匹配码 | 2N7002K-7 |
| 通道类型 | Enhancement | 配置 | Single |
| 标准交期 | 11 weeks | ||
环境参数
| 工作温度 | -65 to 150 °C | ||
Documents & Media
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