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DMN2005LP4K-7
| Manufacturer | |
| Description | Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN MOSFET 30V 300mA |
| Category |
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商业参数
| 产品 | MOSFET Small Signal | 其他名称 | DMN2005LP4KDICT |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | Cut Tape, Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 3000 | 标准封装名称 | DFN |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | ±10 V |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 200mW |
| 噪声系数 | Not Required dB | 额定功率 | 400 mW |
| 额定输出功率 | Not Required dB | 最大频率 | Not Required MHz |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 13.7 ns |
| 通道数量 | 1 Channel | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 900mV @ 100µA | 击穿电压 | 20 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 1500@4V mOhm | 平均正向功率 | 400 mW |
| 最大功耗 | 200 | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 20 V |
| 漏电流（最大） | 0.2 A | 导通电阻（最大） | 1.5 ohm |
| 电流传输比（最小） | 40 mS | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 4.06 ns |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.3 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 10 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 0.2 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 41pF @ 3V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 200mA (Ta) | ||
机械参数
| 宽度 | 0.6 | 高度 | 0.35 mm |
| 长度 | 1 mm | 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | No Lead | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | 3DFN |
| 冷却的封装 | DFN | 总长度 | 1 |
| 包装数量 | DFN | 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 0.35(Max) | 供应商器件封装 | 3-DFN1006H4 (1.0x0.6) |
产品信息
| 类型 | Small Signal | 系列 | DMN2005 |
| 已删除 | Compliant | 极性 | N |
| 技术 | Si | 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | Diodes Incorporated | 配置 | Single |
| 印刷电路板数量 | 3 | ||
环境参数
| 工作温度 | -65 to 150 °C | ||
Documents & Media
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