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DMN601VK-7
| Manufacturer | |
| Description | Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-563 T/R DMN601VK-7 MOSFET DUAL N-CHANNEL ROHS 3K MOSFET N-CH DL 60V 250MW SOT-563 MOSFET Dual N-Channel DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| Category |
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商业参数
| 最小起订量 | 1 | 产品 | MOSFET Small Signal |
| 单位包装 | 0 | 其他名称 | DMN601VKDIDKR |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 3000 | 标准封装名称 | SOT-563 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 抗辐射加固 | No | ESD保护 | Y |
电气参数
| FET类型 | 2 N-Channel (Dual) | 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 250mW |
| 额定功率 | 250 mW | 晶体管类型 | N-Channel |
| 通道数量 | 2 Channel | 元件数量 | 2 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA | 击穿电压 | 60 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 2000@10V mOhm | 平均正向功率 | 250 mW |
| 最大功耗 | 250 | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 60 V |
| 导通电阻（最大） | 2 ohm | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 20 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.305 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 0.305 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 50pF @ 25V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 305mA |
机械参数
| 宽度 | 1.2 | 高度 | 0.6 mm |
| 长度 | 1.6 mm | 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | Flat | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | 6SOT-563 |
| 冷却的封装 | SOT-563 | 总长度 | 1.6 |
| 包装数量 | SOT-563 | 位数 | 6 |
| 外壳尺寸-插件 | 0.6 | 供应商器件封装 | SOT-563 |
产品信息
| 类型 | Small Signal | 系列 | DMN60 |
| 极性 | N | 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | Diodes Incorporated |
| 配置 | Dual | 印刷电路板数量 | 6 |
环境参数
| 工作温度 | -65 to 150 °C | ||