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ZXMP3A13FTA

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ZXMP3A13FTA

Manufacturer
Description
Trans MOSFET P-CH 30V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R MOSFET 30V P-Chnl UMOS P-CH MOS-FET 1,6A 30V SOT23 MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3 MOSFET, P, SOT-23
Category
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商业参数

最小起订量3000单位包装3000
其他名称ZXMP3A13FTR产品类别MOSFET
标准包装数量Cut Tape, Tape & Reel工厂包装数量3000

合规参数

RoHSRoHS CompliantSVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
海关税号85412900抗辐射加固No
无铅定义RoHS-conform

电气参数

FET类型MOSFET P-Channel, Metal Oxide下降时间3 ns
最大栅源电压 Vgs±20 VFET特性Logic Level Gate
最大功率625mW噪声系数Not Required dB
额定功率625 mW额定输出功率Not Required dB
下降时间(典型)7.6 ns最大频率Not Required MHz
上升时间(典型)3 ns晶体管类型P-Channel
首抽头延迟11.1 ns元件数量:1
Vgs(th)(最大)@ Id1V @ 250µA击穿电压30 V
阈值电压:-1V最大额定电流:-1.6A
导通电阻 RDS(On):210mohm触点电压(最大):-30V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs210@10V mOhm最大功耗:806mW
传播延迟(最大)3 ns集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic- 30 V
漏电流(最大)1.6 A每端口功率(瓦)0.625W
导通电阻(最大)0.21 ohm供电电压 (Vcc/Vdd)30V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs6.4nC @ 10V峰值脉冲电流(8/20µs):6A
开关时间(Ton, Toff)(最大)1.5 nsVce饱和电压(最大)@ Ib, IcNot Required %
漏源电压(Vdss)30V峰值脉冲电流(10/1000µs)1.6 A
栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 20 V漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)- 1.6 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds206pF @ 15V连续漏极电流(Id)@ 25°C1.4A (Ta)

机械参数

重量0.000033包装方式Reel
端接方式:SMD安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT引脚数:3
封装形式3SOT-23冷却的封装SOT-23
材料表面处理:MSL 1 - Unlimited位数3
供应商器件封装SOT-23-3

产品信息

类型Power MOSFET极性P-CHANNEL
匹配码ZXMP3A13FSMD标记:313
通道类型P配置Single
标准交期16 weeks

环境参数

测试温度:25°C工作温度-55 to 150 °C
结工作温度:150°C

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