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DMG7401SFG-13

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DMG7401SFG-13

Manufacturer
Description
MOSFET BVDSS: 25V~30V T&R 3K MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8 MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 3K
Category
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商业参数

最小起订量3000单位包装3000
其他名称DMG7401SFG-13DI标准包装数量3,000
工厂包装数量3000

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

FET类型MOSFET P-Channel, Metal Oxide下降时间22 ns
最大栅源电压 Vgs+/- 25 VFET特性Logic Level Gate
栅极电荷58 nC最大功率940mW
上升时间(典型)15.4 ns晶体管类型P-Channel
首抽头延迟38 nsVgs(th)(最大)@ Id3V @ 250µA
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs11 mOhm @ 12A, 20V平均正向功率940 mW
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic- 30 V导通电阻(最大)9 mOhms
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs58nC @ 10V漏源电压(Vdss)30V
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds2987pF @ 15V连续漏极电流(Id)@ 25°C9.8A (Ta)

机械参数

包装方式Tape & Reel (TR)安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT封装形式8-PowerVDFN
供应商器件封装PowerDI3333-8

产品信息

系列DMG7401技术Si
通道类型Enhancement制造商全称Diodes Incorporated
配置1 P-Channel

环境参数

工作温度+ 150 C