ONEIC.US
FXT757STZ

点击放大查看

FXT757STZ

Manufacturer
Description
Transistors Bipolar - BJT -
Category
对参数有疑问?问 AI 助手

合规参数

RoHSNo

电气参数

晶体管类型PNP供电电压300 V
增益带宽积30 MHz最大功耗1000 mW
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic300 VVce饱和电压(最大)@ Ib, Ic5 V
集电极截止电流(最大)0.5 A直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce40 at 10 mA at 5 V

机械参数

包装方式Box安装样式Through Hole
封装形式TO-92

产品信息

配置Single

环境参数

机械寿命Obsolete工作温度+ 150 C