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MPSH10

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MPSH10

Manufacturer
Description
Transistors Bipolar - BJT -
Category
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合规参数

RoHSNo

电气参数

晶体管类型NPN供电电压25 V
Vce饱和电压(最大)25 V增益带宽积650 MHz
最大功耗350 mW集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic30 V
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic3 V集电极截止电流(最大)0.025 A
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce60 at 4 mA at 10 V

机械参数

安装样式Through Hole封装形式TO-92

产品信息

配置Single

环境参数

机械寿命Obsolete工作温度+ 150 C