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MPSH10
| Manufacturer | |
| Description | Transistors Bipolar - BJT - |
| Category |
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合规参数
| RoHS | No | ||
电气参数
| 晶体管类型 | NPN | 供电电压 | 25 V |
| Vce饱和电压(最大) | 25 V | 增益带宽积 | 650 MHz |
| 最大功耗 | 350 mW | 集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic | 30 V |
| Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic | 3 V | 集电极截止电流(最大) | 0.025 A |
| 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 60 at 4 mA at 10 V | ||
机械参数
| 安装样式 | Through Hole | 封装形式 | TO-92 |
产品信息
| 配置 | Single | ||
环境参数
| 机械寿命 | Obsolete | 工作温度 | + 150 C |

