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VTB6061BH
| Manufacturer | |
| Description | SILICON PHOTODIODES |
| Category |
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电气参数
| 响应类型 | ±55 ° | 电阻 | 0.1 Gigaohms |
| 电容 | 8 nF | 光谱范围 | 330 to 720 nm |
| 击穿电压 | 40 V | 开路电压 | 420 mV |
| 暗电流 Id（最大） | 2 nA | 短路电流 | 35 μA |
机械参数
| 冷却的封装 | TO-8 | 主要材料 | Photo |
产品信息
| 有效面积 | 0.058 sq.in. | ||
环境参数
| 工作温度 | -40 to +110 °C | ||