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2N7636-GA

Manufacturer	GeneSiC Semiconductor, Inc.
Description	TRANS SJT 650V 4A TO-257 TRANS SJT 650V 4A TO276 Transistors Bipolar - BJT SiC High Temp SJT 650V 4A 225 Degree C Bipolar Transistors - BJT SiC High Temp SJT 650V 4A 225 Degree C
Category	分立半导体元件双极型晶体管通用双极型晶体管

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商业参数

其他名称	1242-1147	标准包装数量	2
工厂包装数量	10

RoHS

FET类型	Silicon Carbide, Normally Off	FET特性	Super Junction
最大功率	7W	导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	415 mOhm @ 4A
漏源电压（Vdss）	650V	输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	324pF @ 35V
连续漏极电流（Id）@ 25°C	4A (Tc) (165°C)

包装方式	Tube	安装类型	Surface Mount
封装形式	TO-276AA	供应商器件封装	TO-276

系列

2N76

制造商全称

GeneSiC Semiconductor