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2N7639-GA

Manufacturer	GeneSiC Semiconductor, Inc.
Description	TRANS SJT 650V 15A TO-257 Transistors Bipolar - BJT SiC High Temp SJT 650V 15A 225Degree C Bipolar Transistors - BJT SiC High Temp SJT 650V 15A 225Degree C
Category	分立半导体元件双极型晶体管通用双极型晶体管

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商业参数

其他名称	1242-1150	标准包装数量	2
工厂包装数量	10

RoHS

FET类型	Silicon Carbide, Normally Off	FET特性	Super Junction
最大功率	22W	导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	105 mOhm @ 15A
漏源电压（Vdss）	650V	输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	1534pF @ 35V
连续漏极电流（Id）@ 25°C	15A (Tc) (155°C)

包装方式	Bulk	安装类型	Through Hole
封装形式	TO-257-3	供应商器件封装	TO-257

系列

2N76

制造商全称

GeneSiC Semiconductor