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GA05JT03-46
| Manufacturer | |
| Description | TRANS SJT 300V 9A MOSFET SiC High Temperature JT |
| Category |
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商业参数
| 工厂包装数量 | 50 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 下降时间 | 12.4 ns | 最大栅源电压 Vgs | 30 V |
| 栅极电荷 | 14.6 nC | 上升时间（典型） | 6.6 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 12 ns |
| 通道数量 | 1 Channel | 平均正向功率 | 20 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 300 V | 导通电阻（最大） | 620 mOhms |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 9 A | ||
机械参数
| 包装方式 | Bulk | 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | TO-46-3 | ||
产品信息
| 技术 | SiC | 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | GeneSiC Semiconductor | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | + 225 C | ||