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GA06JT12-247
| Manufacturer | |
| Description | TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB MOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A |
| Category |
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商业参数
| 标准包装数量 | 30 | 工厂包装数量 | 30 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | Silicon Carbide, Normally Off | FET特性 | Super Junction |
| 最大功率 | 146W | 额定功率 | 9 W |
| 晶体管类型 | N-Channel | 通道数量 | 1 Channel |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 6A | 平均正向功率 | 9 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 1200 V | 导通电阻（最大） | 220 mOhms |
| 漏源电压（Vdss） | 1200V (1.2kV) | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 6 A |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 6A (Tc) (90°C) | ||
机械参数
| 包装方式 | Tube | 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole | 封装形式 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247AB | ||
产品信息
| 系列 | GA06JT12 | 技术 | SiC |
| 制造商全称 | GeneSiC Semiconductor | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | ||