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GA100JT17-227
| Manufacturer | |
| Description | TRANS SJT 1700V 160A SOT227 MOSFET 1700V 160A SiC Junction Transistor |
| Category |
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商业参数
| 工厂包装数量 | 10 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 下降时间 | 120 ns | 最大栅源电压 Vgs | 30 V |
| 栅极电荷 | 478 nC | 上升时间（典型） | 100 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 160 ns |
| 通道数量 | 1 Channel | 平均正向功率 | 535 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 1700 V | 导通电阻（最大） | 21 mOhms |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 50 ns | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 160 A |
机械参数
| 包装方式 | Tube | 安装样式 | Chassis Mount |
| 封装形式 | SOT-227-4 | ||
产品信息
| 技术 | SiC | 制造商全称 | GeneSiC Semiconductor |
| 配置 | Single | ||
环境参数
| 工作温度 | + 175 C | ||