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GA10SICP12-263
| Manufacturer | |
| Description | TRANS SJT 1200V 25A TO263-7 MOSFET 1200V 25A Std SIC CoPak |
| Category |
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商业参数
| 工厂包装数量 | 50 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | 栅极电荷 | 55 nC |
| 晶体管类型 | N-Channel | 通道数量 | 1 Channel |
| 平均正向功率 | 170 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 1200 V |
| 导通电阻（最大） | 100 mOhms | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 25 A |
机械参数
| 宽度 | 9.169 mm | 高度 | 4.597 mm |
| 长度 | 10.668 mm | 包装方式 | Reel |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | TO-263-7 |
产品信息
| 类型 | Transistor/Schottky Diode Co-Pack | 技术 | SiC |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | GeneSiC Semiconductor |
| 配置 | Single | ||
环境参数
| 工作温度 | + 175 C | ||