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GA20JT12-263
| Manufacturer | |
| Description | TRANS SJT 1.2KV 20A MOSFET 1200V 45A Standard |
| Category |
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商业参数
| 标准包装数量 | 30 | 工厂包装数量 | 50 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| 下降时间 | 15 ns | 最大栅源电压 Vgs | 3.44 V |
| 栅极电荷 | 104 nC | 上升时间（典型） | 12 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 25 ns |
| 平均正向功率 | 282 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 1200 V |
| 导通电阻（最大） | 50 mOhms | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 15 ns |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 45 A | ||
机械参数
| 包装方式 | Reel | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | TO-263-7 | ||
产品信息
| 系列 | * | 技术 | SiC |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | GeneSiC Semiconductor |