ONEIC.US
GA35XCP12-247

点击放大查看

GA35XCP12-247

Manufacturer
Description
IGBT 1200V 100A SOT-247 IGBT 1200V SOT247 IGBT Transistors 1200V 35A SIC IGBT CoPak
Category
对参数有疑问?问 AI 助手

商业参数

其他名称1242-1141标准包装数量30
工厂包装数量30

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

IGBT类型PT最大栅源电压 Vgs20 V
输入类型Standard栅极电荷50nC
开关能量2.66mJ (on), 4.35mJ (off)供电电压1200V
Td(开/关)@ 25°C40ns/232nsVce饱和电压(最大)3 V
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic3V @ 15V, 35A反向恢复时间(trr)36ns
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs0.3 mA集电极脉冲电流 (Icm)35A

机械参数

包装方式Tube安装类型Through Hole
安装样式Through Hole封装形式TO-247-3
供应商器件封装TO-247AB

产品信息

系列GA35XCP12制造商全称GeneSiC Semiconductor

环境参数

测试条件800V, 35A, 2.2 Ohm, 15V工作温度- 40 C