HYNH55S1262EFP60M
| Manufacturer | |
| Description | DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 2Mx16 1.8V 54-Pin FBGA |
| Category |
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电气参数
| 时钟速率 | 166 MHz | 存取时间 | 5.4 ns |
| 供电电压 | 1.8 V | ||
机械参数
| 封装形式 | 54FBGA | ||
产品信息
| 类型 | Mobile SDRAM | 密度 | 128 Mb |
| 地址数量 | 12 Bit | ||
环境参数
| 工作温度 | -30 to 85 °C | ||
| Manufacturer | |
| Description | DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 2Mx16 1.8V 54-Pin FBGA |
| Category |
| 时钟速率 | 166 MHz | 存取时间 | 5.4 ns |
| 供电电压 | 1.8 V | ||
| 封装形式 | 54FBGA | ||
| 类型 | Mobile SDRAM | 密度 | 128 Mb |
| 地址数量 | 12 Bit | ||
| 工作温度 | -30 to 85 °C | ||