HYNH55S5162DFR75M
| Manufacturer | |
| Description | DRAM Chip Mobile SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 54-Pin FBGA |
| Category |
对参数有疑问？问 AI 助手
电气参数
| 时钟速率 | 133 MHz | 存取时间 | 6 ns |
| 供电电压 | 1.8 V | ||
机械参数
| 封装形式 | 54FBGA | ||
产品信息
| 类型 | Mobile SDRAM | 密度 | 512 Mb |
| 地址数量 | 13 Bit | ||
环境参数
| 工作温度 | -30 to 85 °C | ||
| Manufacturer | |
| Description | DRAM Chip Mobile SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 54-Pin FBGA |
| Category |
| 时钟速率 | 133 MHz | 存取时间 | 6 ns |
| 供电电压 | 1.8 V | ||
| 封装形式 | 54FBGA | ||
| 类型 | Mobile SDRAM | 密度 | 512 Mb |
| 地址数量 | 13 Bit | ||
| 工作温度 | -30 to 85 °C | ||