HYNH57V2562GTR50I
| Manufacturer | |
| Description | DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II |
| Category |
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电气参数
| 时钟速率 | 200 MHz | 存取时间 | 4.5 ns |
| 供电电压 | 3.3 V | ||
机械参数
| 封装形式 | 54TSOP-II | ||
产品信息
| 类型 | SDRAM | 密度 | 256 Mb |
| 地址数量 | 15 Bit | ||
环境参数
| 工作温度 | -40 to 85 °C | ||
| Manufacturer | |
| Description | DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II |
| Category |
| 时钟速率 | 200 MHz | 存取时间 | 4.5 ns |
| 供电电压 | 3.3 V | ||
| 封装形式 | 54TSOP-II | ||
| 类型 | SDRAM | 密度 | 256 Mb |
| 地址数量 | 15 Bit | ||
| 工作温度 | -40 to 85 °C | ||