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BSC011N03LSATMA1

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BSC011N03LSATMA1

Manufacturer
Description
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
Category
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商业参数

商标名OptiMOS工厂包装数量5000
标准封装名称SON

合规参数

RoHSRoHS Compliant欧盟RoHSCompliant

电气参数

下降时间6.2 ns最大栅源电压 Vgs20 V
栅极电荷96 nC上升时间(典型)8.8 ns
晶体管类型N-Channel首抽头延迟37 ns
通道数量1 Channel元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id1.2 V击穿电压30
平均正向功率96 W最大功耗2500
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic30 V导通电阻(最大)900 uOhms
电流传输比(最小)85 S开关时间(Ton, Toff)(最大)6.7 ns
峰值脉冲电流(10/1000µs)37连续漏极电流(Id)@ 25°C100 A

机械参数

宽度5.15 mm高度1.27 mm
长度5.9 mm包装方式Reel
引脚样式No Lead安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT封装形式TDSON-8
总长度5.15包装数量TDSON EP
位数8外壳尺寸-插件1

产品信息

系列BSC011N03技术Si
通道类型Enhancement制造商全称Infineon Technologies
配置1 N-Channel印刷电路板数量8

环境参数

工作温度+ 150 C