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IRF8736PBF
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET , 18 A, Vds=30 V, 8针 SOIC封装 MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.8mOhms 17nC |
| Category |
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商业参数
| 工厂包装数量 | 3800 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | 栅极电荷 | 17 nC |
| 开通延迟时间 | 12 ns | 输出功能 | 增强 |
| 晶体管类型 | Si | 关断延迟时间 | 13 ns |
| 供电电压 | 30 V | 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 | 输入电阻 | 5 mΩ |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.35V | 平均正向功率 | 2.5 W |
| 最大功耗 | 2.5 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 导通电阻（最大） | 6.8 mOhms | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | ±20 V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2315 pF@ 15 V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 18 A |
机械参数
| 宽度 | 4mm | 高度 | 1.5mm |
| 长度 | 5mm | 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | 表面贴装 | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 8 | 封装形式 | SO-8 |
| 包装数量 | SOIC | 尺寸/外形 | 5 x 4 x 1.5mm |
产品信息
| 系列 | HEXFET | 功能 | Y |
| 技术 | Si | 通道类型 | N |
| 制造商全称 | Infineon Technologies | 卡标准 | 功率 MOSFET |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source | ||
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||
