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BSC011N03LS
| Manufacturer | |
| Description | Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON MOSFET N-CH 30V 100A Infineon , N沟道 MOSFET, 100 A, Vds=30 V, 8针 TDSON封装 MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS |
| Category |
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商业参数
| 商标名 | OptiMOS | 其他名称 | BSC011N03LSCT |
| 零件号别名 | BSC011N03LSATMA1 SP000799082 | 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 5000 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 6.2 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 栅极电荷 | 72 nC | 最大功率 | 96W |
| 额定功率 | 2.5 W | 开通延迟时间 | 6.7 ns |
| 下降时间（典型） | 6.2 ns | 输出功能 | 增强 |
| 上升时间（典型） | 8.8 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 关断延迟时间 | 37 ns | 首抽头延迟 | 37 ns |
| 供电电压 | 1V | 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 | 输入电阻 | 0.0014 Ω |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.2V @ 250µA | 击穿电压 | 30 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 1.1@10V mOhm | 平均正向功率 | 96 W |
| 最大功耗 | 96 W | 传播延迟（最大） | 8.8 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V | 导通电阻（最大） | 900 uOhms |
| 电流传输比（最小） | 170 S | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 72nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 6.7 ns | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 37 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 100 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 4700pF @ 15V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 37A (Ta), 100A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 5.35mm | 高度 | 1.1mm |
| 长度 | 6.1mm | 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 8 | 封装形式 | 8TDSON EP |
| 包装数量 | TDSON | 尺寸/外形 | 6.1 x 5.35 x 1.1mm |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8 | ||
产品信息
| 系列 | BSC011N03 | 功能 | Y |
| 技术 | Si | 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | Infineon Technologies | 卡标准 | 功率 MOSFET |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source | ||
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||